利用ICP-MS(电感耦合等离子体质谱仪)分别测试酸抛后的正常电池片和3类雪花状漏电电池片的硅基体成份含量，具体数据如表8所示。

  从表8来看，漏电电池3的金属杂质含量偏高，主要是由于Ca、Cu、Mg、Ti和Zn的存在；漏电电池2主要是Cu的含量偏高；漏电电池1是经过深抛的硅片，未发现明显杂质含量，因此可以认

  为此杂质大多分布在在硅片表面。硅片都是采用金刚线切割，金刚线母线的主要成分是Cu元素，硅片生产的全部过程中无其他含铜物质，所以Cu2+是硅片切割线引入的，而切割只会磨损表面，测试到的杂质正是处于表层，因此能判断，产生雪花状漏电的原因是由硅片切割引起的，而非硅棒自身的问题。

  选取正常电池片及漏电电流为0.5～1.5A范围内的电池片进行光衰实验[3]，表9为光衰测试数据。

  由表9可知，漏电电流在0.5～1.5A之间的漏电电池片的衰减率比正常电池片高0.28%；漏电电池的衰减率标准为小于3%，因此漏电电池片的衰减不合格率为25%。

  将漏电流在0.5～1.5A之间的4片电池片与同效率的正常电池片共同组成组件，通电后测试不一样的区域电池片的温度，如表10所示。组件通入工作电流后，记录其4天内的温度情况发现：组件中漏电电流为0.5～1.5A的电池片所在区域比正常电池片(一般漏电电流在0.2～0.5A)所在区域的工作时候的温度高0.3℃。含有漏电电池片的组件与正常组件通电后，对比二者工作情况下的温度差异，具体如表11所示。由表11可知，漏电后漏电电池片所在组件的温度比正常组件的温度高约2.6℃。

  1)本批次漏电电池片主要是硅片质量的问题，硅片少子寿命、电阻率均出现了不合格，少子寿命不合格比例较高。

  2)用重现性的方法排查硅片制绒、烧结和扩散工序，皆未出现雪花状漏电现象，由此可判断漏电异常并非因这些工序导致。

  3)从电池片成分分析数据分析来看，漏电电池片的金属杂质种类多且含量明显偏高。

  4)从一次制程和酸抛后二次制程的结果来看，电池片漏电问题并未因改变制程而消失，但漏电点明显减少。从漏电原理来看，本次雪花状漏电异片主要是由于硅片在生产的全部过程中引入了金属杂质所致。

  5)从电池和组件的可靠性分析，漏电电流偏高的电池片在衰减率和工作时候的温度方面均高于正常电池片，衰减不合格比例为25%，组件温度高0.3℃。

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