下面是我总结的SOA曲线步：①测量MOS管的电压和电流波形，判断电压和电流是否超标②使用示波器乘积功能，得到脉冲的功率波形和维持的时间△t③找到峰值功率点P(max)，得到对应的电压Ucross和电流值Icross④在SOA曲线中，结合维持的时间△t，找到电压Ucross对应的限制电流Isoa⑤测量稳态时MOS管的壳温，根据降额公式，进一步得到符合温度降额情况下的电流值：I(降额)=Isoa*温度降额系数⑥如果实际电流值IcrossI（降额），那么就说明该MOS工作在SOA区，反之，则不在文字说明没什么感觉，下面就来举例子实操下。

  ⑤测量稳态时MOS管的壳温，根据降额公式，进一步得到符合温度降额情况下的电流值：I(降额)=Isoa*温度降额系数因为我们是仿真，所以没法测量MOS管的壳温。如果在设计之初，我们一般能够准确的通过实际电路工作情况估算一个，回板后，我们再实测MOS管的壳温进行进一步确认。现在我们假定MOS管的温度是60℃（现实中要实测），我们计算出此时电流的降额，怎么计算呢？用下面这个公式（公式来源于TI的文档《在设计中使用MOSFET安全工作区曲线》，文末有分享）：

  这里额Ids(Tc)是啥意思呢，它指的是在壳温为Tc时MOS管的安全工作电流。现在壳温为60℃，那么I(降额)=Ids(60℃)。那Ids(25℃)又是啥意思呢？显然，它指的就是壳温为25℃条件下的安全工作电流，也就是前面说的Isoa（因为SOA曲线℃下的）。注意：一般SOA就是在壳温25℃下的，厂家一般会标注，不过Ti的CSD25404Q3T的手册中并没有精确指出是在壳温25℃下，倒是有点像是在环境和温度25℃下，因为表格中TI参数有说：TA = 25°C unless otherwise stated——即没有标注时指的就是环境和温度25℃。关于这一点，我们先不纠结，现实中，可以找Ti的FAE进行一个确认，这里我们为了简便，还是把它当作是壳温25℃情况下的吧。Ti手册中的SOA曲线：

  ⑥如果实际电流值IcrossI（降额），那么就说明该MOS工作在SOA区。由前面几步知道，Icross=24.3A，考虑温度降额下的安全工作电流为Ids(降额)=172.8A，所以满足条件Icross Ids(降额)，最终判断该PMOS工作在SOA区。至此，我们的评估结束了。不过，有时候我们会遇到这样的一个问题——如果实测脉冲时间在SOA曲线、如果实际脉冲时间在SOA中找不到对应曲线怎么办？

  我一般分3步处理：1、第一步：既然找不到5ms的曲线，那我先用更严苛的曲线ms曲线ms的SOA曲线ms的曲线来评估都能够完全满足要求，那5ms必然就是满足的。那如果10ms评估不满足怎么办呢？那就进入第2步。2、第二步：用更放松的曲线ms的曲线ms的曲线都不能满足，那不用说了，这个MOS肯定没有工作在SOA区，需要调整电路。那如果满足1ms，不满足10ms怎么办呢？那就进入第3步。3、第三步：任意脉冲宽度电流限制计算IDS电流与脉冲时间有如下关系式（公式来源于TI的文档《在设计中使用MOSFET安全工作区曲线》）

  当然，这Ids（5ms）=27.8A还是没有温度降额，应用的时候能再用前面计算降额的方法得到最终的 安全工作电流。其实，能够正常的看到，用第3步的方法，我们大家可以得到任意时间的电流限制，那为什么还有前面2步呢？这是因为第3步挺麻烦，有点费劲，而前面2步比较快，如果前面两步已经能出结果了，第3步就没必要了。小结本期内容就到这里了，主要是通过仿真介绍了我们怎么样来判断MOS是否工作在SOA区，相关的仿真文件和MOS规格书手册，相关参考资料，我同样都放置在了我的百度网盘。